Справочник MOSFET. HM18N40A

 

HM18N40A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM18N40A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 202.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
   Время нарастания (tr): 170 ns
   Выходная емкость (Cd): 255 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HM18N40A

 

 

HM18N40A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1112K  cn hmsemi
 hm18n40 hm18n40f hm18n40a.pdf

HM18N40A HM18N40A

HM18N40 / HM18N40F / HM18N40A400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 400V, RDS(on) typ. = 0.20@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast

 9.1. Size:89K  philips
 phm18nq15t.pdf

HM18N40A HM18N40A

PHM18NQ15TTrenchMOS standard level FETRev. 02 20 August 2004 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC converter primary sid

 9.2. Size:4054K  cn hmsemi
 hm18n50a hm18n50f.pdf

HM18N40A HM18N40A

HM18N50A / HM18N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 236m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 69nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 9.3. Size:646K  cn hmsemi
 hm18n03d.pdf

HM18N40A HM18N40A

HM18N03D30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDescription Schematic diagram The uses advanced trench technologyDto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This Gdevice is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S VDS =30VID =18A Marking and pin assignment RDS(ON)(T

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top