HM20N06IA - описание и поиск аналогов

 

HM20N06IA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM20N06IA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HM20N06IA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM20N06IA даташит

 ..1. Size:565K  cn hmsemi
hm20n06ia.pdfpdf_icon

HM20N06IA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:97K  chenmko
chm20n06pagp.pdfpdf_icon

HM20N06IA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM20N06PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 20 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

 7.2. Size:655K  cn hmsemi
hm20n06.pdfpdf_icon

HM20N06IA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 7.3. Size:544K  cn hmsemi
hm20n06ka.pdfpdf_icon

HM20N06IA

HM20N06KA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM20N06KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q , HM20N06 , 2SK3568 , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K , HM20N15KA , HM20N50A , HM20N50F .

History: AOB260L | LSGH10R085W3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.