HM2305 - описание и поиск аналогов

 

HM2305 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM2305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM2305

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2305 технические параметры

 ..1. Size:473K  cn hmsemi
hm2305.pdfpdf_icon

HM2305

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON)

 0.1. Size:97K  chenmko
chm2305gp.pdfpdf_icon

HM2305

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2305GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High satur

 0.2. Size:1649K  cn vbsemi
hm2305pr.pdfpdf_icon

HM2305

HM2305PR www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABS

 0.3. Size:512K  cn hmsemi
hm2305b.pdfpdf_icon

HM2305

HM2305B P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM2305B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features VDS = -12V,ID = -4.1A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM2302BJR , HM2302BWKR , HM2302BWSR , HM2302D , HM2302DR , HM2302E , HM2302F , HM2302KR , IRF540N , HM2305B , HM2305D , HM2306 , HM2309 , HM2309AL , HM2309APR , HM2309B , HM2309C .

 

 
Back to Top

 


 
.