Справочник MOSFET. HM2N10MR

 

HM2N10MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2N10MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM2N10MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  cn hmsemi
hm2n10mr.pdfpdf_icon

HM2N10MR

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:351K  cn hmsemi
hm2n10.pdfpdf_icon

HM2N10MR

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:347K  cn hmsemi
hm2n10b.pdfpdf_icon

HM2N10MR

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:478K  cn hmsemi
hm2n15r.pdfpdf_icon

HM2N10MR

HM2N15RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2N15R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , HM2907 , HM2N10 , HM2N10B , STF13NM60N , HM2N15PR , HM2N15R , HM2N20 , HM2N20MR , HM2N20PR , HM2N20R , HM2N25 , HM2N60 .

History: IPD60R1K0PFD7S | 2SJ528S | 2SK3608-01S | GP1T160A120B | DMN3032LE | IPB048N06LG | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.