HM2N20PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2N20PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для HM2N20PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N20PR даташит

 ..1. Size:537K  cn hmsemi
 hm2n20pr.pdf pdf_icon

HM2N20PR

HM2N20PR N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM2N20PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:1034K  cn hmsemi
 hm2n20r.pdf pdf_icon

HM2N20PR

 8.2. Size:922K  cn hmsemi
 hm2n20mr.pdf pdf_icon

HM2N20PR

HM2N20MR 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM2N20MR uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. DS(ON) It can be used in a wide variety of applications. General Features V = 200V,I =2A DS D R

 8.3. Size:576K  cn hmsemi
 hm2n20.pdf pdf_icon

HM2N20PR

HM2N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The HM2N20 uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS = 200V,ID =2A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM2907, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, RFP50N06, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, HM2N70, HM2N70R, HM2P10PR, HM2P10R