Справочник MOSFET. HM2N20PR

 

HM2N20PR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2N20PR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для HM2N20PR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N20PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  cn hmsemi
hm2n20pr.pdfpdf_icon

HM2N20PR

HM2N20PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2N20PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:1034K  cn hmsemi
hm2n20r.pdfpdf_icon

HM2N20PR

HM2N20RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2N20R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:922K  cn hmsemi
hm2n20mr.pdfpdf_icon

HM2N20PR

HM2N20MR200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM2N20MR uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. DS(ON) It can be used in a wide variety of applications. General Features V = 200V,I =2A DS DR

 8.3. Size:576K  cn hmsemi
hm2n20.pdfpdf_icon

HM2N20PR

HM2N20N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The HM2N20 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 200V,ID =2A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM2907 , HM2N10 , HM2N10B , HM2N10MR , HM2N15PR , HM2N15R , HM2N20 , HM2N20MR , SKD502T , HM2N20R , HM2N25 , HM2N60 , HM2N65R , HM2N70 , HM2N70R , HM2P10PR , HM2P10R .

History: 2SK3019EB | JCS12N65CEI | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | BRCS080N02ZJ | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.