Справочник MOSFET. HM3018JR

 

HM3018JR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM3018JR
   Маркировка: KN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

 Аналог (замена) для HM3018JR

 

 

HM3018JR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  cn hmsemi
hm3018jr.pdf

HM3018JR
HM3018JR

J HM3018JR SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETSHM3018JR N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circuits can be simple Paral

 8.1. Size:1205K  cn hmsemi
hm3018.pdf

HM3018JR
HM3018JR

HM3018 / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,,,Low on-resistance, fast switching speed, low voltage drive, easily designed drive circuits, easy to parallel. / Applications

 8.2. Size:412K  cn hmsemi
hm3018kr.pdf

HM3018JR
HM3018JR

HM3018KRSilicon N-channel MOSFET100 mA, 30 V Features 31) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 13) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.24) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. SC-70 ESD>500V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and O

 8.3. Size:1303K  cn hmsemi
hm3018sr.pdf

HM3018JR
HM3018JR

J HM3018SR SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS HM3018SR N-channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Low on-resistance Interfacing , Switching Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Ea

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top