Справочник MOSFET. HM3018KR

 

HM3018KR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3018KR
   Маркировка: 6C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3018KR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cn hmsemi
hm3018kr.pdfpdf_icon

HM3018KR

HM3018KRSilicon N-channel MOSFET100 mA, 30 V Features 31) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 13) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.24) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. SC-70 ESD>500V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and O

 8.1. Size:1205K  cn hmsemi
hm3018.pdfpdf_icon

HM3018KR

HM3018 / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,,,Low on-resistance, fast switching speed, low voltage drive, easily designed drive circuits, easy to parallel. / Applications

 8.2. Size:1239K  cn hmsemi
hm3018jr.pdfpdf_icon

HM3018KR

J HM3018JR SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETSHM3018JR N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circuits can be simple Paral

 8.3. Size:1303K  cn hmsemi
hm3018sr.pdfpdf_icon

HM3018KR

J HM3018SR SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS HM3018SR N-channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Low on-resistance Interfacing , Switching Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Ea

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOTF66616L | AOW4S60

 

 
Back to Top

 


 
.