HM3207T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3207T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HM3207T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3207T даташит

 ..1. Size:675K  cn hmsemi
 hm3207t.pdf pdf_icon

HM3207T

HM3207T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3207T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:379K  cn hmsemi
 hm3207d.pdf pdf_icon

HM3207T

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:492K  cn hmsemi
 hm3207.pdf pdf_icon

HM3207T

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 8.3. Size:512K  cn hmsemi
 hm3207bd.pdf pdf_icon

HM3207T

HM3207BD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3207BD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =70V,ID =180A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM30P55K, HM3205, HM3205B, HM3205D, HM3207, HM3207B, HM3207BD, HM3207D, IRF730, HM32N20, HM32N20F, HM3305, HM3305D, HM3306, HM3307, HM3307A, HM3307B