HM3401PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3401PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HM3401PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3401PR даташит

 ..1. Size:929K  cn hmsemi
 hm3401pr.pdf pdf_icon

HM3401PR

HM3401PR P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The HM3401PR uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -5.2A RDS(ON)

 8.1. Size:547K  cn hmsemi
 hm3401.pdf pdf_icon

HM3401PR

HM3401 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The HM3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -4.2A RDS(ON)

 8.2. Size:588K  cn hmsemi
 hm3401d.pdf pdf_icon

HM3401PR

HM3401 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The HM3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -4.6A RDS(ON)

 8.3. Size:560K  cn hmsemi
 hm3401c.pdf pdf_icon

HM3401PR

HM3401C P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM3401C uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load G switch or in PWM applications. S General Features VDS = -30V,ID = -2.5A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM3400B, HM3400C, HM3400D, HM3400DR, HM3401, HM3401B, HM3401C, HM3401D, IRFB4227, HM3406B, HM3407A, HM3407B, HM3413, HM3413B, HM3414, HM3414B, HM3415E