HM35N03D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM35N03D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6EP
Аналог (замена) для HM35N03D
HM35N03D Datasheet (PDF)
hm35n03d.pdf

HM35N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM35N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)
hm35n03q.pdf

HM35N03QDescription The HM35N03Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM3414B , HM3415E , HM3416B , HM3421 , HM3421B , HM3422 , HM3422A , HM3426B , K4145 , HM35N03Q , HM35P03 , HM35P03D , HM35P03K , HM35P04D , HM3710 , HM3710K , HM3800D .
History: WMJ10N80D1 | BRCS2301MA | HMS8N65F | AON6444 | IXFL36N110P | NP88N055DLE | FS2KM-14A
History: WMJ10N80D1 | BRCS2301MA | HMS8N65F | AON6444 | IXFL36N110P | NP88N055DLE | FS2KM-14A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g