Справочник MOSFET. HM35N03D

 

HM35N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM35N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6EP
 

 Аналог (замена) для HM35N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM35N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  cn hmsemi
 hm35n03d.pdf pdf_icon

HM35N03D

HM35N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM35N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 7.1. Size:384K  cn hmsemi
 hm35n03q.pdf pdf_icon

HM35N03D

HM35N03QDescription The HM35N03Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM3414B , HM3415E , HM3416B , HM3421 , HM3421B , HM3422 , HM3422A , HM3426B , K4145 , HM35N03Q , HM35P03 , HM35P03D , HM35P03K , HM35P04D , HM3710 , HM3710K , HM3800D .

History: SI2302B | AM20N15-250B | ME7306-G | FDS5170N7 | STFI12N60M2 | GT045N10M | ME2308S

 

 
Back to Top

 


 
.