Справочник MOSFET. STS2620

 

STS2620 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS2620
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для STS2620

 

 

STS2620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  samhop
 sts2620.pdf

STS2620 STS2620

GPPSTS2620aS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID53 @ VGS=4.5V 103 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A78 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S1S22 534G2D2S

 0.1. Size:119K  samhop
 sts2620a.pdf

STS2620 STS2620

STS2620AaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID50 @ VGS=4.5V 106 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A76 @ VGS=2.5V 198 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S2S12 534G2D2S 1S 2

 8.1. Size:121K  samhop
 sts2621.pdf

STS2620 STS2620

S TS 2621S amHop Microelectronics C orp.J un.6 2005Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MAXR ugged and reliable.130 @ VG S = -4.5V-20V -2AS OT-26 Package.190 @ VG S = -2.5VD1 D2TS OP6Top ViewG1D161S 1 2 5 S 2G1 G234G2D2

 8.2. Size:166K  samhop
 sts2622a.pdf

STS2620 STS2620

GreenProductSTS2622AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.60 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20V 3.4A90 @ VGS=2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G2D2S 1S 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top