HM4030 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM4030
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 158 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 916 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0071 Ohm
Тип корпуса: TO220
HM4030 Datasheet (PDF)
hm4030.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThe is N-channel MOS Field Effect Transistordesigned for high current switching applications. Rugged EAScapability and ultra low R is suitable for PWM, loadDS(ON)switching especially for E-Bike controller applications.FeaturesFeaturesFeaturesFeatures
hm4030d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HM4030 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM4030D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, loadDS(ON) switching especially for E-Bike controller applications.Features V =100V; I =118A@ V =10V; DS D GSTO-263-2L top view R
hm4033.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HM4033 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING:H4033 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Powe
hm4033.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : HE9523HI-SINCERITYIssued Date : 1997.04.17Revised Date : 2005.06.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM4033PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM4033 is designed for high current general purpose amplifier applications.SOT-89Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature .......................................................
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HM100N15