Справочник MOSFET. HM40N10K

 

HM40N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM40N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HM40N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM40N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  cn hmsemi
 hm40n10k.pdf pdf_icon

HM40N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =40A RDS(ON)

 0.1. Size:608K  cn hmsemi
 hm40n10ka.pdf pdf_icon

HM40N10K

HM40N10KAN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40N10KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =40A RDS(ON)

 7.1. Size:798K  cn hmsemi
 hm40n10.pdf pdf_icon

HM40N10K

HM40N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =40A RDS(ON)

 8.1. Size:608K  cn hmsemi
 hm40n15ka.pdf pdf_icon

HM40N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D , HM40N10 , STP80NF70 , HM40N10KA , HM40N15K , HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , HM40P06K , HM4110 .

History: IPD25CN10N | 2SJ360 | IRFS4229 | SI2333DS-T1-GE3 | IRFS4610

 

 
Back to Top

 


 
.