Справочник MOSFET. HM4423

 

HM4423 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM4423
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 486 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HM4423

 

 

HM4423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cn hmsemi
 hm4423.pdf

HM4423 HM4423

HM44 Description The HM44 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -2 A RDS(ON)

 9.1. Size:68K  chenmko
 chm4426jgp.pdf

HM4423 HM4423

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4426JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power a

 9.2. Size:1249K  cn hmsemi
 hm4421b.pdf

HM4423 HM4423

HM4421BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4421B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDS =-60V,ID =-6.5A RDS(ON)

 9.3. Size:855K  cn hmsemi
 hm4421c.pdf

HM4423 HM4423

HM P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top