HM4435B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM4435B
Маркировка: 4435B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HM4435B Datasheet (PDF)
hm4435b.pdf
HM4435BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM4435B uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)
chm4435bjgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435BJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and reli
chm4435ajgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435AJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and reli
chm4435azgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435AZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.0+
hm4435.pdf
HM4435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM4435 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
