Справочник MOSFET. HM4435B

 

HM4435B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM4435B
   Маркировка: 4435B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HM4435B

 

 

HM4435B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  cn hmsemi
 hm4435b.pdf

HM4435B HM4435B

HM4435BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM4435B uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

 0.1. Size:102K  chenmko
 chm4435bjgp.pdf

HM4435B HM4435B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435BJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and reli

 8.1. Size:184K  chenmko
 chm4435ajgp.pdf

HM4435B HM4435B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435AJGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and reli

 8.2. Size:101K  chenmko
 chm4435azgp.pdf

HM4435B HM4435B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4435AZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.052.0+

 8.3. Size:450K  cn hmsemi
 hm4435.pdf

HM4435B HM4435B

HM4435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM4435 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top