HM4452 - описание и поиск аналогов

 

HM4452. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM4452

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HM4452

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4452 даташит

 ..1. Size:564K  cn hmsemi
hm4452.pdfpdf_icon

HM4452

HM4452 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:77K  chenmko
chm4450jgp.pdfpdf_icon

HM4452

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM4450JGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 7.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power

 9.2. Size:539K  cn hmsemi
hm4454.pdfpdf_icon

HM4452

HM4454 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =8A Schematic diagram RDS(ON)

 9.3. Size:659K  cn hmsemi
hm4453a.pdfpdf_icon

HM4452

HM4453A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The HM4453A uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -21A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4440A , HM4441 , HM4441A , HM4443 , HM4444 , HM4447 , HM4449 , HM4450A , 7N65 , HM4453 , HM4453A , HM4453B , HM4454 , HM4468T , HM4480 , HM4482 , HM4484 .

History: APT40M90JN | SMG2319P | BTS247Z | AP16T10GH | IPD70R1K4CE | IPD60R600P7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.