Справочник MOSFET. HM4503

 

HM4503 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4503
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4503 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  cn hmsemi
 hm4503.pdf pdf_icon

HM4503

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The SOP-8 package is universally preferred for all commercial industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. N-channel P-channelGeneral Features N-Channel Sch

 9.1. Size:111K  chenmko
 chm4501jgp.pdf pdf_icon

HM4503

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM4501JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 8.3 AmpereP-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.