HM4922 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HM4922
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HM4922 Datasheet (PDF)
hm4922.pdf

20V Full-Bridge of MOSFETDescription Schematic diagram N-channelP-channel GP1GN1 D1 General Features N-channel VDS =20V,ID =3A SPSN RDS(ON)=32m (typical) @ VGS=4.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STD6N60M2 | AOE66410 | IPB80N03S4L-02 | SSB65R600S2 | NCE3090K
History: STD6N60M2 | AOE66410 | IPB80N03S4L-02 | SSB65R600S2 | NCE3090K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031