Справочник MOSFET. HM5N60K

 

HM5N60K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N60K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HM5N60K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  cn hmsemi
 hm5n60k hm5n60i.pdf pdf_icon

HM5N60K

HM5N60K / HM5N60IHM5N60K / HM5N60I600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switchin

 8.1. Size:1319K  cn hmsemi
 hm5n60.pdf pdf_icon

HM5N60K

N RN-CHANNEL MOSFET HM5N60 Package MAIN CHARACTERISTICS .0 A ID 5600 V VDSS Rdson 2.4 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 8.2. Size:383K  cn hmsemi
 hm5n60 hm5n60f.pdf pdf_icon

HM5N60K

HM5N60 / HM5N60FHM5N60 / HM5N60F600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching

 9.1. Size:443K  cn hmsemi
 hm5n65 hm5n65f.pdf pdf_icon

HM5N60K

/ / 650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 650V, RDS(on) = 3.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 15nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , HM5N50I , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I , 5N65 , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I , HM5N65K , HM5N90 , HM5P55R , HM6005A , HM603AK .

 

 
Back to Top

 


 
.