Справочник MOSFET. HM5N65I

 

HM5N65I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N65I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N65I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:885K  cn hmsemi
 hm5n65k hm5n65i.pdf pdf_icon

HM5N65I

HM5N65K/HM5N65IHM5N65K / HM5N65I650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 650V, RDS(on) = 3.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 15nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switchi

 8.1. Size:443K  cn hmsemi
 hm5n65 hm5n65f.pdf pdf_icon

HM5N65I

/ / 650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 650V, RDS(on) = 3.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 15nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switchi

 9.1. Size:675K  cn hmsemi
 hm5n60k hm5n60i.pdf pdf_icon

HM5N65I

HM5N60K / HM5N60IHM5N60K / HM5N60I600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switchin

 9.2. Size:1319K  cn hmsemi
 hm5n60.pdf pdf_icon

HM5N65I

N RN-CHANNEL MOSFET HM5N60 Package MAIN CHARACTERISTICS .0 A ID 5600 V VDSS Rdson 2.4 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.