HM6N70I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HM6N70I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HM6N70I Datasheet (PDF)
hm6n70i.pdf

HM6N70I General Description VDSS 700 V ,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25) 85 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.8 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturiz
hm6n70 hm6n70f.pdf

HM6N70/F General Description VDSS 700 V HM6N70/F,the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25) 85 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.8 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a
hm6n70k.pdf

HM6N70K General Description VDSS 700 V HM6N70K, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25) 85 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.8 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization an
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF7726PBF | 2SK4066 | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF
History: IRF7726PBF | 2SK4066 | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g