Справочник MOSFET. HM8205

 

HM8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM8205
   Маркировка: 8205*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 19 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для HM8205

 

 

HM8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  cn hmsemi
 hm8205.pdf

HM8205 HM8205

HM8205SOT-23-6LPlastic-EncapsulateMosfetsHM8205 Dual N-Channel Power Mosfet Features TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability 4.6. Gate Surface Mount Package 2.5. Drain Applications 1.3. Source Battery Protection Load Switch Power Management Marking: HM8205XXMaximum Ra

 0.1. Size:509K  cn hmsemi
 hm8205q.pdf

HM8205 HM8205

HM8205QN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8205Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 0.2. Size:920K  cn hmsemi
 hm8205d.pdf

HM8205 HM8205

Dual N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aBattery protection or in other Switching applications.FeaturesSchematic Diagram VDS = 20V,ID = AR

 0.3. Size:438K  cn hmsemi
 hm8205a.pdf

HM8205 HM8205

HM8205ADual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description The HM8205A uses advanced trench technology to provide G1 G2excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2Schematic diagram General Features VDS = 19.5V,ID = 6A RDS(

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top