HM830F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM830F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM830F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM830F даташит

 ..1. Size:319K  cn hmsemi
 hm830 hm830f.pdf pdf_icon

HM830F

830 / 830 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 5.0A, 500V, RDS(on) = 1.50 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 20nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

 9.1. Size:532K  1
 irfhm830trpbf.pdf pdf_icon

HM830F

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

 9.2. Size:243K  international rectifier
 irfhm830d.pdf pdf_icon

HM830F

PD -96327A IRFHM830DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max D 5 4 G 4.3 m (@VGS = 10V) D 6 3 S Qg (typical) 13 nC D 7 2 S RG (typical) 1.1 D 8 1 S ID 40 A 3.3mm x 3.3mm PQFN (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for Buck Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 4.3m ) Lower Conduction Losses Schottky intrin

 9.3. Size:532K  international rectifier
 irfhm830pbf.pdf pdf_icon

HM830F

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM80N70, HM80N80, HM80N80B, HM8205, HM8205A, HM8205D, HM8205Q, HM830, IRL3713, HM840, HM840F, HM85N02, HM85N02K, HM85N80, HM85N90, HM85N95D, HM85P02