2N6763. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6763

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для 2N6763

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6763 даташит

 ..1. Size:140K  fairchild semi
 2n6763.pdf pdf_icon

2N6763

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6763

 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6763

 9.3. Size:140K  1
 2n6764.pdf pdf_icon

2N6763

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6760JTXV, 2N6761, 2N6762, 2N6762JAN, 2N6762JANTX, 2N6762JANTXV, 2N6762JTX, 2N6762JTXV, IRF1407, 2N6764, 2N6764JAN, 2N6764JANTX, 2N6764JANTXV, 2N6764JTX, 2N6764JTXV, 2N6765, 2N6766