HM9926B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM9926B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM9926B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM9926B даташит

 ..1. Size:485K  cn hmsemi
 hm9926b.pdf pdf_icon

HM9926B

HM9926B Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM9926B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =20V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:94K  chenmko
 chm9926jgp.pdf pdf_icon

HM9926B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM9926JGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

 8.2. Size:93K  chenmko
 chm9926pagp.pdf pdf_icon

HM9926B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM9926PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 26 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

 8.3. Size:94K  chenmko
 chm9926ajgp.pdf pdf_icon

HM9926B

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM9926AJGP SURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * Rugged and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM8P02MR, HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, IRFP460, HM9N90F, HMS100N85D, HMS105N10D, HMS10N60I, HMS10N60K, HMS110N15, HMS11N60, HMS11N60D