HMS21N70A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS21N70A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS21N70A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS21N70A даташит

 ..1. Size:836K  cn hmsemi
 hms21n70a.pdf pdf_icon

HMS21N70A

HMS21N70A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 165 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Feature

 6.1. Size:929K  cn hmsemi
 hms21n70 hms21n70f.pdf pdf_icon

HMS21N70A

HMS21N70,HMS21N70F N-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 165 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application

 8.1. Size:978K  cn hmsemi
 hms21n60a.pdf pdf_icon

HMS21N70A

HMS21N60A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 650 V VDS@Tjmax technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. F

 8.2. Size:779K  cn hmsemi
 hms21n65a.pdf pdf_icon

HMS21N70A

HMS21N65A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HMS20N15K, HMS21N60, HMS21N60A, HMS21N60F, HMS21N65, HMS21N65A, HMS21N65F, HMS21N70, AO3407, HMS21N70F, HMS25N65, HMS25N65D, HMS25N65F, HMS28N65, HMS28N65D, HMS28N65F, HMS28N65T