HMS35DN10DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS35DN10DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS35DN10DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS35DN10DA даташит

 ..1. Size:591K  cn hmsemi
 hms35dn10da.pdf pdf_icon

HMS35DN10DA

HMS35DN10DA N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS35DN10DA uses Super Trench technology that is VDS =100V,ID =35A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=18m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=22m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely

 9.1. Size:1021K  cn hmsemi
 hms35n10k.pdf pdf_icon

HMS35DN10DA

HMS35N10K N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS35N10K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

Другие IGBT... HMS28N65D, HMS28N65F, HMS28N65T, HMS29N65, HMS29N65D, HMS29N65F, HMS3205, HMS3205D, IRF1405, HMS35N10K, HMS38N60T, HMS4030, HMS4030D, HMS40N10D, HMS4110T, HMS4260, HMS4264