HMS5N90K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS5N90K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS5N90K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS5N90K даташит

 ..1. Size:970K  cn hmsemi
 hms5n90k hms5n90i.pdf pdf_icon

HMS5N90K

HMS5N90I/HMS5N90K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 900 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1.5 DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие IGBT... HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, HMS4N70K, HMS50N12DA, HMS50N15LD, HMS5N90I, IRFZ44, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q, HMS75N65T, HMS7N65I, HMS7N65K, HMS7N70I