VS3622DP - описание и поиск аналогов

 

VS3622DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3622DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3622DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622DP даташит

 ..1. Size:1113K  cn vgsemi
vs3622dp.pdfpdf_icon

VS3622DP

VS3622DP 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Markin

 0.1. Size:1142K  cn vgsemi
vs3622dp2.pdfpdf_icon

VS3622DP

VS3622DP2 30V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement mode I D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 0.2. Size:1108K  cn vgsemi
vs3622dp3.pdfpdf_icon

VS3622DP

VS3622DP3 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking P

 7.1. Size:735K  cn vanguard
vs3622de.pdfpdf_icon

VS3622DP

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

Другие MOSFET... RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , 20N50 , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP .

History: WMK12N105C2 | WMK10N80M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.