Справочник MOSFET. VS3645DE-G

 

VS3645DE-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3645DE-G
   Маркировка: 3645DE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3645DE-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3645DE-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  cn vgsemi
vs3645de-g.pdfpdf_icon

VS3645DE-G

VS3645DE-G30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 22 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 20 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 12 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Pac

 8.1. Size:1117K  cn vgsemi
vs3645ge.pdfpdf_icon

VS3645DE-G

VS3645GE30V/16A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 13.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 22 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 16 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3645GE PDFN3333

 8.2. Size:979K  cn vgsemi
vs3645ga.pdfpdf_icon

VS3645DE-G

VS3645GA30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 10 A Low Gate ChargeDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3645GA DFN2x2x0.75-6L 3645 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Parameter Ratin

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3645DE-G

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

Другие MOSFET... VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , IRF730 , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , VSA007N02KD , SD2933W , FDD6030BL , FDD603AL .

History: TDM3307A | IPD60R1K5CE | FTK12N65F | NTMFS4C054N | CHM4435AZGP

 

 
Back to Top

 


 
.