S40N14S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: S40N14S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для S40N14S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
S40N14S даташит
s40n14r s40n14s s40n14rn s40n14rp.pdf
S40N14R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=40V,ID=140A DC Motor Control Rds(on)(typ)=3.4m @Vgs=4.5V DC-DC Converters Rds(on)(typ)=2.8m @Vgs=10V BMS 100% Avalanche Tested SMPS 100% Rg Tested Automotive Environment Lead-Free (RoHS Compliant) Internal Circuit and Pin Description
s40n14s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor S40N14S FEATURES Drain Current I = 140A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 3.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM
rf1s40n10.pdf
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti
rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM Data Sheet January 2002 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power Features MOSFETs 40A, 100V These are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040 the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curve sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti
Другие MOSFET... MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , MMFT60R195PCTH , 2N7002 , HY3408 , STP1806 , YMP230N55 , JFAM18N50C , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E , JFAM20N60C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273







