Справочник MOSFET. JFFC7N65E

 

JFFC7N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFC7N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFC7N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC7N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1256K  jiaensemi
 jffc7n65e.pdf pdf_icon

JFFC7N65E

JFFC7N65E 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s

 6.1. Size:836K  jiaensemi
 jfpc7n65c jffc7n65c.pdf pdf_icon

JFFC7N65E

JFPC7N65C JFFC7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 650V, RDS(on)typ. = 1.3@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

Другие MOSFET... JFAM25N50E , JFAM30N50E , JFAM30N60E , JFAM50N50C , JFAM7N90C , JFFC10N65D , JFFC13N65D , JFFC20N65C , 20N50 , JFFC8N65C , JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C .

History: ALD1106PBL | MTP15N05 | IRFS3307ZTRL

 

 
Back to Top

 


 
.