JFFC7N65E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFC7N65E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFC7N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC7N65E даташит

 ..1. Size:1256K  jiaensemi
 jffc7n65e.pdf pdf_icon

JFFC7N65E

JFFC7N65E 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s

 6.1. Size:836K  jiaensemi
 jfpc7n65c jffc7n65c.pdf pdf_icon

JFFC7N65E

JFPC7N65C JFFC7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 650V, RDS(on)typ. = 1.3 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

Другие IGBT... JFAM25N50E, JFAM30N50E, JFAM30N60E, JFAM50N50C, JFAM7N90C, JFFC10N65D, JFFC13N65D, JFFC20N65C, STP80NF70, JFFC8N65C, JFFM13N50E, JFFM13N65D, JFFM20N60C, JFFM3N120E, JFFM3N150C, JFFM7N90C, JFHM20N60C