Справочник MOSFET. JFFM3N150C

 

JFFM3N150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFM3N150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM3N150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  jiaensemi
 jffm3n150c.pdf pdf_icon

JFFM3N150C

JFFM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

 7.1. Size:943K  jiaensemi
 jffm3n120e.pdf pdf_icon

JFFM3N150C

JFFM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IXUC100N055 | FTP06N65 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | OSG95R750FF | WMM15N70C4 | SQ3418EV

 

 
Back to Top

 


 
.