Справочник MOSFET. JFHM20N60C

 

JFHM20N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFHM20N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JFHM20N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM20N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  jiaensemi
 jfhm20n60c.pdf pdf_icon

JFHM20N60C

JFHM20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 5.1. Size:733K  jiaensemi
 jfhm20n60e.pdf pdf_icon

JFHM20N60C

JFHM20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... JFFC7N65E , JFFC8N65C , JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , 5N65 , JFHM20N60E , JFHM30N50P , JFHM50N50C , JFHM9N150E , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C .

History: 2SK3019T | SST65R650S2 | IRFB52N15D | IRF9Z24PBF | IPD70R950CE | SSF6NS70D | KI7N10DY

 

 
Back to Top

 


 
.