JFHM20N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFHM20N60E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFHM20N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM20N60E даташит

 ..1. Size:733K  jiaensemi
 jfhm20n60e.pdf pdf_icon

JFHM20N60E

JFHM20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 5.1. Size:711K  jiaensemi
 jfhm20n60c.pdf pdf_icon

JFHM20N60E

JFHM20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие IGBT... JFFC8N65C, JFFM13N50E, JFFM13N65D, JFFM20N60C, JFFM3N120E, JFFM3N150C, JFFM7N90C, JFHM20N60C, 10N65, JFHM30N50P, JFHM50N50C, JFHM9N150E, JFPC10N60C, JFFM10N60C, JFPC10N60CI, JFPC10N65C, JFFC10N65C