JFPC10N60CI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFPC10N60CI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFPC10N60CI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFPC10N60CI даташит

 ..1. Size:505K  jiaensemi
 jfpc10n60ci.pdf pdf_icon

JFPC10N60CI

JFPC10N60CI 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 10A, 600V, RDS(on)typ. = 0.8 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and withst

 4.1. Size:843K  jiaensemi
 jfpc10n60c jffm10n60c.pdf pdf_icon

JFPC10N60CI

JFPC10N60C JFFM10N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 10A, 600V, RDS(on)typ. = 0.68 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

 6.1. Size:507K  jiaensemi
 jfpc10n65ci.pdf pdf_icon

JFPC10N60CI

JFPC10N65CI 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 10A, 650V, RDS(on)typ. = 0.8 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and withst

 6.2. Size:777K  jiaensemi
 jfpc10n65d.pdf pdf_icon

JFPC10N60CI

JFPC10N65D 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JFFM7N90C, JFHM20N60C, JFHM20N60E, JFHM30N50P, JFHM50N50C, JFHM9N150E, JFPC10N60C, JFFM10N60C, 20N50, JFPC10N65C, JFFC10N65C, JFPC10N65CI, JFPC10N65D, JFPC10N80C, JFFM10N80C, JFPC11N50C, JFFM11N50C