JFPC2N80C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFPC2N80C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFPC2N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFPC2N80C даташит

 ..1. Size:525K  jiaensemi
 jfpc2n80c jffm12n80c.pdf pdf_icon

JFPC2N80C

JFPC2N80C JFFM12N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER S

 9.1. Size:797K  jiaensemi
 jfpc20n65c.pdf pdf_icon

JFPC2N80C

JFPC20N65C 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 9.2. Size:890K  jiaensemi
 jfpc20n50c jffm20n50c.pdf pdf_icon

JFPC2N80C

JFFM20N50C JFPC20N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 20A, 500V, RDS(on)typ. = 0.21 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching perf

 9.3. Size:796K  jiaensemi
 jfpc20n60c.pdf pdf_icon

JFPC2N80C

JFPC20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JFFC18N65C, JFPC18N65CI, JFPC20N50C, JFFM20N50C, JFPC20N60C, JFPC20N65C, JFPC24N50C, JFFM24N50C, 20N60, JFFM12N80C, JFPC5N60C, JFFM5N60C, JFPC5N65C, JFFC5N65C, JFPC5N80C, JFFM5N80C, JFPC5N90C