Справочник MOSFET. JFFM5N60C

 

JFFM5N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFM5N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM5N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n60c jffm5n60c.pdf pdf_icon

JFFM5N60C

JFPC5N60C JFFM5N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 600V, RDS(on)typ. = 2.0@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

 8.1. Size:555K  jiaensemi
 jfpc5n80c jffm5n80c.pdf pdf_icon

JFFM5N60C

JFPC5N80C JFFM5N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

 8.2. Size:560K  jiaensemi
 jfpc5n90c jffm5n90c.pdf pdf_icon

JFFM5N60C

JFPC5N90C JFFM5N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTTFS4C10NTAG | IRC8405 | FDBL0210N80 | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.