JFFM5N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JFFM5N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
JFFM5N60C Datasheet (PDF)
jfpc5n60c jffm5n60c.pdf
JFPC5N60C JFFM5N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 600V, RDS(on)typ. = 2.0@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance
jfpc5n80c jffm5n80c.pdf
JFPC5N80C JFFM5N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP
jfpc5n90c jffm5n90c.pdf
JFPC5N90C JFFM5N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
