Справочник MOSFET. JFPC5N80C

 

JFPC5N80C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JFPC5N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.4 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для JFPC5N80C

 

 

JFPC5N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  jiaensemi
 jfpc5n80c jffm5n80c.pdf

JFPC5N80C JFPC5N80C

JFPC5N80C JFFM5N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

 8.1. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n65c jffc5n65c.pdf

JFPC5N80C JFPC5N80C

JFPC5N65C JFFC5N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 650V, RDS(on)typ. = 2.3@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

 8.2. Size:560K  jiaensemi
 jfpc5n90c jffm5n90c.pdf

JFPC5N80C JFPC5N80C

JFPC5N90C JFFM5N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

 8.3. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n60c jffm5n60c.pdf

JFPC5N80C JFPC5N80C

JFPC5N60C JFFM5N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 600V, RDS(on)typ. = 2.0@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top