Справочник MOSFET. JFFM5N80C

 

JFFM5N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFM5N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFM5N80C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM5N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  jiaensemi
 jfpc5n80c jffm5n80c.pdf pdf_icon

JFFM5N80C

JFPC5N80C JFFM5N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

 8.1. Size:560K  jiaensemi
 jfpc5n90c jffm5n90c.pdf pdf_icon

JFFM5N80C

JFPC5N90C JFFM5N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUP

 8.2. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n60c jffm5n60c.pdf pdf_icon

JFFM5N80C

JFPC5N60C JFFM5N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 600V, RDS(on)typ. = 2.0@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие MOSFET... JFFM24N50C , JFPC2N80C , JFFM12N80C , JFPC5N60C , JFFM5N60C , JFPC5N65C , JFFC5N65C , JFPC5N80C , IRF1404 , JFPC5N90C , JFFM5N90C , JFPC7N60C , JFFM7N60C , JFPC7N65C , JFFC7N65C , JFPC7N90C , JFPC8N60C .

History: VTI630 | WMQ37N03T1 | RU30E4B | HRS88N08K | TMC8N65H | KIA2N60H-252 | NCE3008N

 

 
Back to Top

 


 
.