Справочник MOSFET. STP35N10

 

STP35N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP35N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP35N10

 

 

STP35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  samhop
 stp35n10.pdf

STP35N10 STP35N10

GreenProductSTP35N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypHigh power and current handling capability.100V 35A 30 @ VGS=10VTO-220 package.DGSTP SERIESTO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25C unl

 8.1. Size:421K  st
 stb35nf10 stp35nf10.pdf

STP35N10 STP35N10

STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V

 8.2. Size:1202K  st
 stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf

STP35N10 STP35N10

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V

 8.3. Size:466K  st
 stp35nf10.pdf

STP35N10 STP35N10

STP35NF10STB35NF10N-CHANNEL 100V - 0.030 - 40ATO-220/ D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP35NF10 100 V

Другие MOSFET... FDMC8651 , STP454 , FDMC86520L , FDMC8878 , STP4410 , FDMC8882 , STP423S , FDMC8884 , 12N60 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A .

 

 
Back to Top