JFPC9N90C - описание и поиск аналогов

 

JFPC9N90C - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JFPC9N90C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JFPC9N90C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFPC9N90C технические параметры

 ..1. Size:563K  jiaensemi
 jfpc9n90c jffm9n90c.pdf pdf_icon

JFPC9N90C

JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

 8.1. Size:845K  jiaensemi
 jfpc9n50c jffm9n50c.pdf pdf_icon

JFPC9N90C

JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

Другие MOSFET... JFPC8N60C , JFFM8N60C , JFPC8N65C , JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , IRF630 , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A .

History: JCS8N60C | R6006KNX

 

 
Back to Top

 


 
.