JNFH20N60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JNFH20N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JNFH20N60C
JNFH20N60C Datasheet (PDF)
jnfh20n60c.pdf
JNFH20N60C 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
jnfh20n60e.pdf
JNFH20N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
Другие MOSFET... JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , K4145 , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM16N10D | AGM16N10C | AGM15T16D | AGM15T16C | AGM15T13H | AGM15T13F | AGM15T13D | AGM15T13C | AGM15T13A | AGM15T06T | AGM15T06LL | AGM15T06H | AGM15T06C-B | AGM15T06C | AGM15T05LL | AGM13T05A
Popular searches
bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580



