Справочник MOSFET. SRH03P142LMTR-G

 

SRH03P142LMTR-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRH03P142LMTR-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SRH03P142LMTR-G Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1057K  sanrise-tech
 srh03p142l.pdf pdf_icon

SRH03P142LMTR-G

Datasheet 14.2m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3The SRH03P142L break down vol

 8.1. Size:904K  sanrise-tech
 srh03p098l.pdf pdf_icon

SRH03P142LMTR-G

Datasheet 9.8m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.