SRH03P142LMTR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRH03P142LMTR-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 211 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0142 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для SRH03P142LMTR-G
SRH03P142LMTR-G Datasheet (PDF)
srh03p142l.pdf
Datasheet 14.2m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3The SRH03P142L break down vol
srh03p098l.pdf
Datasheet 9.8m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
