FDMS2504SDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDMS2504SDC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
Тип корпуса: POWER56
Аналог (замена) для FDMS2504SDC
FDMS2504SDC Datasheet (PDF)
fdms2504sdc.pdf

July 2010FDMS2504SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.25 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.25 m at VGS = 10 V, ID = 32 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.75 m
fdms2502sdc.pdf

July 2010FDMS2502SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.2 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.2 m at VGS = 10 V, ID = 35 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.7 m at
fdms2506sdc.pdf

July 2010FDMS2506SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.45 m at VGS = 10 V, ID = 30 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.1 m
fdms2508sdc.pdf

July 2010FDMS2508SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.95 m at VGS = 10 V, ID = 28 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.85 m
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet