Справочник MOSFET. SRT10N160LM

 

SRT10N160LM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SRT10N160LM
   Маркировка: 10N160LMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SRT10N160LM

 

 

SRT10N160LM Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1548K  sanrise-tech
 srt10n160l.pdf

SRT10N160LM SRT10N160LM

Datasheet 16m, 100V, N-Channel Power MOSFET SRT10N160L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRT10N160L is a low voltage power MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable Source 1,2,3for applications which r

 7.1. Size:1049K  sanrise-tech
 srt10n120l.pdf

SRT10N160LM SRT10N160LM

Datasheet 10m, 100V, N-Channel Power MOSFET SRT10N120L General Description Symbol The Sanrise SRT10N120L uses advanced split Drain 5,6,7,8gate trench technology. It has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching Gate 4time. This device is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. The SRT10N120L break down voltage is 100V Source

 7.2. Size:1247K  sanrise-tech
 srt10n130h.pdf

SRT10N160LM SRT10N160LM

Datasheet 13m, 100V, N-Channel Power MOSFET SRT10N130H General Description Symbol The Sanrise SRT10N130H is a low voltage power Drain 5,6,7,8MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and Gate 4fast switching time, making it especially suitable for applications which require superio

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top