Справочник MOSFET. HY3007P

 

HY3007P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3007P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 920 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3007P

 

 

HY3007P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  1
hy3007p hy3007m hy3007b hy3007ps hy3007pm.pdf

HY3007P HY3007P

HY3007P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures / 68V 120 A5.0 (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= mSDGSD Avalanche RatedGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGApplications TO-3PS-3L TO-3PM-3S Power Management for Inverter Sy

 9.1. Size:648K  1
hy3003p hy3003b.pdf

HY3007P HY3007P

HY3003P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/100ARDS(ON)= 3.5m (typ.) @ VGS=10V 100% EAS Guaranteed Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline SD Advanced high cell density Trench technology G Halogen - Free Device Available SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD High Frequency Synchronous

 9.2. Size:968K  hymexa
hy3003d hy3003u hy3003v.pdf

HY3007P HY3007P

01233245657!"#$%&'()*& ,-.4&/0*-1(-2.3 4 5 678"9! :;9?:@ A";78"9!:;4B>9?:@ A";CDS3 E6F $GDSSGDDGG3 7 HI 7JKKSDG3 L K #M AM 8FHG6FHI97L" ?H :TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S N11O-0'(-2./3 P9M K QMRFMM"G G!"#$S*T&*-.U'.TV'*W-.UX.Y2*Z'(-2.P ^K8 [ 8_$!

 9.3. Size:2157K  hymexa
hy3008p hy3008m hy3008b hy3008mf hy3008pl hy3008pm.pdf

HY3007P HY3007P

HY3008P/M/B/ MF /PL/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/100ARDS(ON)= 6.6m(typ.)@VGS = 10V SDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and Rugged SDG Lead- Free Devices Available TO-220FB-3LTO-220FB-3M TO-263-2L(RoHS Compliant) Applications SD Switching applicationGSSDD Power management for inverter systems

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top