HY3007PM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HY3007PM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для HY3007PM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HY3007PM даташит
hy3007p hy3007m hy3007b hy3007ps hy3007pm.pdf
HY3007P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features / 68V 120 A 5.0 (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= m S D G S D Avalanche Rated G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G Applications TO-3PS-3L TO-3PM-3S Power Management for Inverter Sy
hy3003p hy3003b.pdf
HY3003P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/100A RDS(ON)= 3.5m (typ.) @ VGS=10V 100% EAS Guaranteed Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline S D Advanced high cell density Trench technology G Halogen - Free Device Available S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D High Frequency Synchronous
hy3003d hy3003u hy3003v.pdf
01233245657 !"#$ %&'()*& ,-.4&/0*-1(-2. 3 4 5 6 78"9! ;9? @ A"; 78"9! ;4B>9? @ A";CD S 3 E6F $G D S S G D D G G 3 7 HI 7JKK S D G 3 L K #M AM 8FHG6FHI 97L" ?H TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S N11O-0'(-2./ 3 P9M K QMRFMM"G G !"#$ S*T&*-.U'.TV'*W-.UX.Y2*Z'(-2. P ^K 8 [ 8_$!
hy3008p hy3008m hy3008b hy3008mf hy3008pl hy3008pm.pdf
HY3008P/M/B/ MF /PL/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/100A RDS(ON)= 6.6m (typ.)@VGS = 10V S D G 100% Avalanche Tested S D G Reliable and Rugged S D G Lead- Free Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications S D Switching application G S S D D Power management for inverter systems
Другие IGBT... WMM38N60C2, WMJ38N60C2, AONR32340C, HCS80R380S, HY3007P, HY3007M, HY3007B, HY3007PS, 4435, NCE80H11, S80N10R, S80N10S, CMD5941, CMU5941, MMBF4860, N6006NZ, STP180N4F6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent




