VS3603GPMT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VS3603GPMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VS3603GPMT
VS3603GPMT Datasheet (PDF)
vs3603gpmt.pdf

VS3603GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 205 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS3603G
vs3604dt.pdf

VS3604DT30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DT TO-
vs3602gpmt.pdf

VS3602GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg testedPart ID Package Type Marki
vs3606ad.pdf

VS3606AD30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement modeI D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3
Другие MOSFET... LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , IRFP450 , VS3604AT , VS3604DM , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE , VS3606AP , VS3606AT .
History: 2SK2316 | STP10N62K3 | MIC94050YM4TR | HPM2305 | 2SK3882-01 | 2SK1647L | IRL8113LPBF
History: 2SK2316 | STP10N62K3 | MIC94050YM4TR | HPM2305 | 2SK3882-01 | 2SK1647L | IRL8113LPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003