Справочник MOSFET. VS3603GPMT

 

VS3603GPMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3603GPMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VS3603GPMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3603GPMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  cn vgsemi
vs3603gpmt.pdfpdf_icon

VS3603GPMT

VS3603GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 205 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS3603G

 9.1. Size:1048K  cn vgsemi
vs3604dt.pdfpdf_icon

VS3603GPMT

VS3604DT30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DT TO-

 9.2. Size:875K  cn vgsemi
vs3602gpmt.pdfpdf_icon

VS3603GPMT

VS3602GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg testedPart ID Package Type Marki

 9.3. Size:1026K  cn vgsemi
vs3606ad.pdfpdf_icon

VS3603GPMT

VS3606AD30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement modeI D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3

Другие MOSFET... LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , P60NF06 , VS3604AT , VS3604DM , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE , VS3606AP , VS3606AT .

History: QM3006U | CEU02N6A | BRCS250C03YA | RJK1535DPJ | SHD226302 | SM3113NSU | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.