VS3604DM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VS3604DM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1575 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для VS3604DM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VS3604DM даташит
vs3604dm.pdf
VS3604DM 30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 300 A Ultra-Low Gate Impedance TO-263 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3604DM TO-26
vs3604dt.pdf
VS3604DT 30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 300 A Ultra-Low Gate Impedance TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3604DT TO-
vs3604at.pdf
VS3604AT 30V/180A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.8 m Enhancement mode I D 180 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3604AT TO-220AB 3
vs3602gpmt.pdf
VS3602GPMT 30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistance I D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg tested Part ID Package Type Marki
Другие IGBT... HCCZ120R040H1, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, 4N60, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD, VS3606AE, VS3606AP, VS3606AT, VS3606ATD, VS3610AD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503











