Справочник MOSFET. VS3604DM

 

VS3604DM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3604DM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1575 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VS3604DM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3604DM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  cn vgsemi
vs3604dm.pdfpdf_icon

VS3604DM

VS3604DM30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-263 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DM TO-26

 7.1. Size:1048K  cn vgsemi
vs3604dt.pdfpdf_icon

VS3604DM

VS3604DT30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DT TO-

 8.1. Size:1051K  cn vgsemi
vs3604at.pdfpdf_icon

VS3604DM

VS3604AT30V/180A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.8 m Enhancement modeI D 180 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604AT TO-220AB 3

 9.1. Size:875K  cn vgsemi
vs3602gpmt.pdfpdf_icon

VS3604DM

VS3602GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg testedPart ID Package Type Marki

Другие MOSFET... HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT , VS3604AT , 10N65 , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE , VS3606AP , VS3606AT , VS3606ATD , VS3610AD .

History: UTT18P10 | AFN8988

 

 
Back to Top

 


 
.